Indiumtrimethyl

Strukturformel
Allgemeines
Name	Indiumtrimethyl
Andere Namen	Trimethylindium
Summenformel	C3H9In
Kurzbeschreibung	weißer Feststoff[1]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
EG-Nummer	222-200-9
ECHA-InfoCard	100.020.183
PubChem	76919
Wikidata	Q4463086
Eigenschaften
Molare Masse	159,92 g·mol−1
Aggregatzustand	fest[1]
Dichte	1,568 g·cm−3[2]
Schmelzpunkt	88 °C[3]
Siedepunkt	136 °C[3]
Löslichkeit	reagiert mit Wasser[1]
Sicherheitshinweise
H- und P-Sätze	H: 250‐260‐314
	EUH: 014
	P: ?
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Indiumtrimethyl ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der metallorganischen Verbindungen.

Gewinnung und Darstellung

Indiumtrimethyl kann durch Grignard-Reaktion von Indium und Magnesium mit Brommethan[3]

\mathrm {2\ In+3\ Mg+6\ CH_{3}Br\longrightarrow 2\ In(CH_{3})_{3}+3\ MgBr_{2}}

oder durch Metathesereaktion von Indium(III)-chlorid oder Indium(III)-bromid mit Methyllithium gewonnen werden.[3][4]

\mathrm {InCl_{3}+3\ LiCH_{3}\longrightarrow 3\ LiCl+In(CH_{3})_{3}}

Es kann auch durch eine Transmetallierungsreaktion von metallischem Indium und Quecksilberdimethyl bei 135 °C dargestellt werden.[3][4]

\mathrm {2\ In+3\ Hg(CH_{3})_{2}\longrightarrow 3\ Hg+2\ In(CH_{3})_{3}}

Eigenschaften

Indiumtrimethyl ist ein weißer pyrophorer Feststoff.[1] Er besteht aus monomeren Molekülen im Gaszustand und in Lösung (Benzol, Cyclopentan), ist aber tetramer im festen Zustand. Das Molekül besitzt eine trigonal-planare Struktur.[4] Die Verbindung ist verhältnismäßig reaktionsträge. Eine heftige Reaktion erfolgt mit Luft und kaltem Wasser. Mit Säuren erfolgt rasche Hydrolyse unter Methanentwicklung. Sie ist löslich in Ether, Petrolether, Cyclohexan, Benzol und Methylenchlorid, mit Alkoholen tritt Reaktion ein. Mit Elektronendonatoren wie Trialkylamine werden Addukte gebildet.[4]

Verwendung

Indiumtrimethyl wird zur Herstellung von Indiumphosphid verwendet.[5] In der Halbleiterproduktion wird es als Dotierungsreagenz bzw. zur Erzeugung von III/V-Halbleiterschichten benutzt.[4]

Siehe auch

Einzelnachweise

EPICHEM: Trimethylindium vom 13. März 2000, abgerufen am 27. Dezember 2019.
AMERICAN ELEMENTS: Trimethylindium C3H9In, abgerufen am 22. September 2018.
Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band I, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 864.
Wiberg, E.; Wiberg, N.; Holleman, A.F.: Anorganische Chemie, 103. Auflage, 2017 Walter de Gruyter GmbH & Co. KG, Berlin/Boston, ISBN 978-3-11-026932-1, S. 1405–1407, (abgerufen über De Gruyter Online).
Anthony C. Jones, Paul O'Brien: CVD of Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Developmeny and ... John Wiley & Sons, 2008, ISBN 3-527-61462-1, S. 55 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. The authors of the article are listed here. Additional terms may apply for the media files, click on images to show image meta data.

[epi-1] EPICHEM: Trimethylindium vom 13. März 2000, abgerufen am 27. Dezember 2019.

[AMERICAN_ELEMENTS-2] AMERICAN ELEMENTS: Trimethylindium C3H9In, abgerufen am 22. September 2018.

[brauer-3] Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band I, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 864.

[Holleman-Wiberg2017-4] Wiberg, E.; Wiberg, N.; Holleman, A.F.: Anorganische Chemie, 103. Auflage, 2017 Walter de Gruyter GmbH & Co. KG, Berlin/Boston, ISBN 978-3-11-026932-1, S. 1405–1407, (abgerufen über De Gruyter Online).

[Anthony_C._Jones,_Paul_O'Brien-5] Anthony C. Jones, Paul O'Brien: CVD of Compound Semiconductors: Precursor Synthesis, Developmeny and ... John Wiley & Sons, 2008, ISBN 3-527-61462-1, S. 55 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).