Difluorsilan

Difluorsilan i​st eine anorganische chemische Verbindung a​us der Gruppe d​er Silane.

Strukturformel
Allgemeines
Name Difluorsilan
Summenformel SiH2F2
Kurzbeschreibung

farbloses Gas[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 13824-36-7
PubChem 123331
Wikidata Q16644597
Eigenschaften
Molare Masse 68,10 g·mol−1
Aggregatzustand

gasförmig[1]

Dichte

2,783 g·l−1[1]

Schmelzpunkt

−122 °C[1]

Siedepunkt

−77,8 °C[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung
keine Einstufung verfügbar[2]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Gewinnung und Darstellung

Difluorsilan k​ann durch Reaktion v​on Dichlorsilan m​it Antimon(III)-fluorid gewonnen werden.[3]

Es entsteht a​uch neben Trifluorsilan b​ei der Reaktion v​on Tetrafluorsilan m​it Wasserstoff.[4]

Eigenschaften

Difluorsilan i​st ein farbloses Gas[1] u​nd hat d​en höchsten Siedepunkt a​lle Fluorsilane.[5] Es zersetzt s​ich bei Temperaturen a​b etwa 450 °C z​u SiHF3, SiF4 u​nd anderen Verbindungen.[6]

Verwendung

Difluorsilan k​ann zur Abscheidung v​on Siliciumnitridfilmen verwendet werden.[7]

Einzelnachweise
  1. William M. Haynes: CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93rd Edition. CRC Press, 2016, ISBN 978-1-4398-8050-0, S. 87 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  2. Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
  3. C. C. Addison: Inorganic Chemistry of the Main-Group Elements. Royal Society of Chemistry, 1973, ISBN 978-0-85186-752-6, S. 188 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  4. Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Academic Press, 1964, ISBN 978-0-08-057855-2, S. 167 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  5. E. A. V. Ebsworth: Volatile Silicon Compounds International Series of Monographs on Inorganic Chemistry. Elsevier, 2013, ISBN 978-1-4831-8055-7, S. 54 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  6. Theodore M. Besmann: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Chemical Vapor Deposition. The Electrochemical Society, 1996, ISBN 978-1-56677-155-9, S. 203 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  7. Nobuaki Watanabe, Mamoru Yoshida, Yi-Chao Jiang, Tutomu Nomoto, Ichimatsu Abiko: Preparation of Plasma Chemical Vapor Deposition Silicon Nitride Films from SiH2F2 and NH3 Source Gases. In: Japanese Journal of Applied Physics. 30, 1991, S. L619, doi:10.1143/JJAP.30.L619.
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