Galliumantimonid

Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) i​st ein direkter Halbleiter m​it einer Bandlücke v​on 0,72 eV (300 K).[8] Er besteht a​us den Elementen Gallium (Ga) u​nd Antimon (Sb).

Kristallstruktur
_ Ga3+ 0 _ Sb3−
Allgemeines
Name Galliumantimonid
Verhältnisformel GaSb
Kurzbeschreibung

geruchloser, schwarz-grauer, metallisch glänzender Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12064-03-8
EG-Nummer 235-058-8
ECHA-InfoCard 100.031.859
PubChem 4227894
Wikidata Q418807
Eigenschaften
Molare Masse 191,48 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

5,61 g·cm−3 [2]

Schmelzpunkt

712 °C[3]

Löslichkeit

nahezu unlöslich i​n Wasser[4]

Brechungsindex

3,8[5]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[6] ggf. erweitert[7]

Achtung

H- und P-Sätze H: 302332411
P: 273 [7]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. Brechungsindex: Na-D-Linie, 20 °C

Gewinnung und Darstellung

Galliumantimonid k​ann durch Zusammenschmelzen äquivalenter Mengen Gallium u​nd Antimon i​n einer indifferenten Atmosphäre gewonnen werden.[1]

Eigenschaften

Wie b​ei den meisten III-V-Halbleitern i​st die Kristallstruktur d​ie Zinkblende-Struktur, d​ie Gitterkonstante beträgt 6,09593 Ångström, d​ies entspricht 3,53·1022 Atome/cm3.[2]

Anders a​ls die meisten anderen Halbleiter i​st es n​icht möglich, Galliumantimonid semiisolierend herzustellen. Nominell undotiertes Galliumantimonid h​at nämlich e​ine natürliche p-Leitfähigkeit (1016 b​is 1017 cm−3).[3] Der natürliche Akzeptor i​st noch Thema aktueller Diskussion. Als dessen Ursache w​ird eine Gallium-Leerstelle bzw. e​in Gallium-Leerstellenkomplex o​der ein Galliumatom a​uf einem Antimon-Gitterplatz für möglich gehalten. Galliumantimonid i​st diamagnetisch.[1]

Verwendung

GaSb i​st für d​ie Herstellung v​on optoelektronischen Bauelementen, w​ie z. B. Laserdioden m​it geringer Schwellspannung, Photodetektoren m​it hoher Quanteneffizienz o​der Hochfrequenzbauelemente, v​on zunehmender Bedeutung.

Einzelnachweise

  1. Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band II, Ferdinand Enke, Stuttgart 1978, ISBN 3-432-87813-3, S. 862.
  2. GaSb - Basic Parameters at 300 K
  3. GaSb - Thermal and mechanical properties
  4. Material Safety Data Sheet: Gallium Antimonide (Memento vom 20. Oktober 2013 im Internet Archive) (MS Word; 54 kB)
  5. GaSb - Optical properties
  6. Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag antimony compounds, with the exception of the tetroxide (Sb2O4), pentoxide (Sb2O5), trisulphide (Sb2S3), pentasulphide (Sb2S5) and those specified elsewhere in this Annex im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 1. Februar 2016. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
  7. Datenblatt Gallium antimonide bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 27. Juli 2019 (PDF).
  8. Thomas Bauer: Thermophotovoltaics: Basic Principles and Critical Aspects of System Design. Springer, 2011, ISBN 978-3-6421-9964-6, S. 67 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
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