Borphosphid

Kristallstruktur
	_ B3+ 0 _ P3−
Kristallsystem	Zinkblende
Raumgruppe	F43m (Nr. 216)[1]
Allgemeines
Name	Borphosphid
Verhältnisformel	BP
Kurzbeschreibung	farblose oder je nach Dotierung orangerote bis rotbraune Kristalle[2]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
EG-Nummer	243-593-3
ECHA-InfoCard	100.039.616
PubChem	88409
Wikidata	Q2982798
Eigenschaften
Molare Masse	41,78 g·mol−1
Aggregatzustand	fest[1]
Schmelzpunkt	1227 °C (Zersetzung)[1]
Sicherheitshinweise
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ; keine Einstufung verfügbar[3]
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ; keine Einstufung verfügbar[3]
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.[4][5]

Gewinnung und Darstellung

Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Bortrioxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.[6]

Eigenschaften

Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf.[7] Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.[2]

Verwendung

Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.[8]

Einzelnachweise

Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2, S. 116.
Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.
H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113, 1891, S. 726–729.
K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.
O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86.
Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.

This article is issued from Wikipedia. The text is licensed under Creative Commons - Attribution - Sharealike. The authors of the article are listed here. Additional terms may apply for the media files, click on images to show image meta data.

[Lax-1] Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

[berger-2] L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2, S. 116.

[NV-3] Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.

[Popp1-4] P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.

[Moissan-5] H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113, 1891, S. 726–729.

[DOI10.1016/0022-0248(73)90038-9-6] K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.

[Madelung-7] O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86.

[Udagawa-8] Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.