Aluminiumgalliumarsenid

Kristallstruktur
	_ Ga3+/Al3+ 0 _ As3−
Allgemeines
Name	Aluminiumgalliumarsenid
Verhältnisformel	AlxGa1−xAs
Externe Identifikatoren/Datenbanken
Wikidata	Q304176
Eigenschaften
Molare Masse	variabel
Aggregatzustand	fest[1]
Dichte	(5,32 − 1,56·x) g·cm−3 (bei 300 K)[2]
Schmelzpunkt	(1240 − 58·x + 558·x2) °C[2]
Sicherheitshinweise
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ; keine Einstufung verfügbar[3]
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ; keine Einstufung verfügbar[3]
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Aluminiumgalliumarsenid (Al_xGa_1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke.

Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist.

Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen des von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterparameters ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) möglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen.

Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie Diodenlaser, Leuchtdioden, Heterojunction bipolar transistoren (HBT) und High Electron Mobility Transistoren (HEMT).

Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216)Vorlage:Raumgruppe/216.[2]

Literatur

Sadao Adachi: Properties of aluminium gallium arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-852-96558-0 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

Weblinks

Physikalische Daten, Ioffe-Institut St.Petersburg (engl.)

Einzelnachweise

Sadao Adachi: Properties of Aluminium Gallium Arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0, S. 39.
Basic Parameters at 300 K, abgerufen am 29. April 2021.
Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.

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[Sadao_Adachi-1] Sadao Adachi: Properties of Aluminium Gallium Arsenide. IET, 1993, ISBN 978-0-85296-558-0, S. 39.

[ioffe-2] Basic Parameters at 300 K, abgerufen am 29. April 2021.

[NV-3] Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.