Borsubarsenid

Kristallstruktur
	_ B3+ 0 _ As3−
Kristallsystem	kubisch
Gitterparameter	0,4777 nm
Allgemeines
Name	Borsubarsenid
Andere Namen	Dodecabordiarsenid; Borarsenid (mehrdeutig);
Verhältnisformel	B12As2
Externe Identifikatoren/Datenbanken
Wikidata	Q15718766
Eigenschaften
Molare Masse	279,58 g·mol−1
Sicherheitshinweise
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ; keine Einstufung verfügbar[1]
	GHS-Gefahrstoffkennzeichnung ; keine Einstufung verfügbar[1]
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Borsubarsenid ist eine chemische Verbindung des Bors aus der Gruppe der Arsenide. In der Literatur wird häufig der mehrdeutige Name Borarsenid verwendet.

Gewinnung und Darstellung

Borsubarsenid kann durch pyrolytische Zersetzung von Diboran und Arsenwasserstoff oberhalb von 920 °C gewonnen werden.[2]

Eigenschaften

Borsubarsenid besteht aus Bor-Ikosaedern mit dazwischenliegenden As₂-Gruppen, weist einen Bandabstand von 3,47 eV auf und wird ausgehend von einem Substrat auf Siliciumcarbid gezüchtet.[3]

Bei Raumtemperatur weist Borsubarsenid eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit λ von über 2 kW/(m·K) auf, was ungefähr der Wärmeleitfähigkeit von Diamant entspricht.[4]

Einzelnachweise

Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.
Semiconductor Research. University Bristol, Applied Spectroscopy Group. Archiviert vom Original am 1. Februar 2014. Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2 Abgerufen am 20. September 2013.
L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.

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[NV-1] Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.

[harvard.edu-2] J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.

[semi1-3] Semiconductor Research. University Bristol, Applied Spectroscopy Group. Archiviert vom Original am 1. Februar 2014. Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2 Abgerufen am 20. September 2013.

[linds1-4] L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.