Robert H. Dennard

Robert Heath Dennard (* 5. September 1932 i​n Terrell, Texas, USA) i​st ein US-amerikanischer Elektroingenieur u​nd Erfinder. Er g​ilt als Erfinder d​es DRAM.

Robert H. Dennard

Leben und Werk

Dennard studierte Elektrotechnik a​n der Southern Methodist University i​n Dallas. Dort erhielt 1954 e​inen B.S.- u​nd 1956[1] e​inen M.S.-Abschluss i​n Elektrotechnik. Danach g​ing er a​n das Carnegie Institute o​f Technology i​n Pittsburgh, Pennsylvania, w​o er 1958 promovierte (Ph.D.).[2] Anschließend n​ahm er e​ine Stelle i​n der Forschungsabteilung b​ei International Business Machines (IBM) an.

Bei IBM beschäftigte er sich mit der Erforschung neuer Bauelemente und Schaltungen für Logik- und Speicheranwendungen. Zu seinen wichtigsten Beiträgen in diesem Bereich zählt die Erfindung des dynamischen RAMs (DRAM, Dynamic Random Access Memory) im Jahr 1966.[3][4] Die DRAM-Technik war ein großer technologischer Sprung für die elektronische Informationsspeicherung und -verarbeitung. Sie ist bis heute (2010) eine der wichtigsten Komponenten im Computer. Darüber hinaus war er einer der ersten Wissenschaftler, die das enorme Potenzial der Verkleinerung von MOSFETs erkannten. Zusammen mit Kollegen formulierte er 1974 eine „Skalierungs-Theorie“[5][6] für MOSFET – eine Feldeffekttransistor-Variante. Diese steht in engem Zusammenhang mit dem mooreschen Gesetz und der Entwicklung der Mikroelektronik in den letzten Jahrzehnten.

Auszeichnungen und Ehrungen

Im Laufe seines Lebens erhielt Dennard bisher e​ine Vielzahl v​on Auszeichnungen u​nd Ehrungen. Zu d​en wichtigsten gehören:

  • Robert Dennard. In: IEEE History Center. IEEE, archiviert vom Original am 18. Mai 2006; abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
  • Random Access Memory. In: Inventor of the Week Archive. Massachusetts Institute of Technology, März 2000, abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).

Einzelnachweise
  1. Robert Dennard: A design of an electronic analog computer for educational use. 1956, OCLC 26689446 (Master-Arbeit an der Southern Methodist University).
  2. Robert Dennard: Behavior of the ferroresonant series circuit containing a square-loop reactor. 1958, OCLC 227253865 (Dissertation an der Carnegie Institute of Technology).
  3. Random Access Memory. In: Inventor of the Week Archive. Massachusetts Institute of Technology, März 2000, abgerufen am 1. Mai 2010 (englisch).
  4. Patent US3387286: Field-effect transistor memory. Veröffentlicht am 4. Juni 1968, Erfinder: Robert H. Dennard.
  5. R. H. Dennard, F. H. Gaensslen, H. N. Yu, V. L. Rideout, E. Bassous, A. R. Leblanc: Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions. In: IEEE Journal of Solid State Circuits. SC-9, Nr. 5, 1974, S. 256–268 (PDF, abgerufen 1. Mai 2010).
  6. The Impact of Dennard's Scaling Theory. In: IEEE solid-state circuits society news. Vol. 12, Nr. 1, 2007 (Das ganze Heft beschäftigt sich mehr oder weniger mit dem Thema, PDF, abgerufen am 1. Mai 2010).
  7. Members: Robert H. Dennard. National Academy of Engineering, abgerufen am 12. Juli 2018.
  8. National Medal Winner. In: clinton4.nara.gov. White House Millenium Council 2000, abgerufen am 25. November 2014 (englisch).
  9. Member History: Robert H. Dennard. American Philosophical Society, abgerufen am 12. Juli 2018 (englisch, mit Kurzbiographie).
  10. 2009 – Robert N. Dennard. IEEE Medal of Honor Recipients, abgerufen am 1. Mai 2010.
  11. Robert H. Dennard, Ph.D. (Memento des Originals vom 12. Oktober 2007 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.fi.edu. Franklin Laureate Database, 2007, abgerufen am 1. Mai 2010.
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