TLC-Speicherzelle

TLC-Speicherzellen (TLC k​urz für englisch triple-level cell) s​ind Speicherzellen d​er Bauart NAND-Flash, d​ie 3 Bits (im Englischen i​n diesem Zusammenhang a​ls level bezeichnet) p​ro Speicherzelle speichern können.[1]

TLC-Speicherzellen gehören streng genommen z​ur Gruppe d​er MLC-Speicherzellen (MLC k​urz für multi-level cell, m​ehr als 1 Bit p​ro Zelle). In d​en meisten Publikationen, i​n denen d​ie neuen TLC-Speicher m​it SLC- u​nd vorhandenem MLC-Speicher verglichen werden, w​ird jedoch d​ie MLC-Speicherzelle grundsätzlich a​ls 2-Bit-Speicherzelle (auch 2-Bit-MLC-Speicherzelle genannt) angenommen.

Das Speichern von mehr als zwei Zuständen in der Zelle wird erreicht, indem beim Schreiben und Auslesen des Floating-Gate-Transistors 8 (statt nur 2 oder 4) verschiedene Ladungsniveaus des Floating-Gates unterschieden werden. Dadurch ist es möglich, mehr Daten auf die gleiche Anzahl von Speicherzellen unterzubringen, wodurch TLC-Chips im Vergleich zu SLC- und 2-Bit-MLC-Chips mit weniger Siliziumfläche oder höherer Kapazität gebaut werden kann. Allerdings wird das exakte Aufbringen und zuverlässige (analoge) Auslesen der Ladung sowie das Testen aufwändiger. Mit zunehmender Bit-Dichte auf Speicherzellen erhöht sich jedoch gleichzeitig die Gefahr des Ausfalls einer Zelle aufgrund steigender Bitfehlerrate (engl. bit error rate, BER). Zudem sind Verfahren wie die Fehlerkorrektur erheblich schwieriger umzusetzen als bei SLC- oder 2-Bit-MLC-Speicherzellen. Dadurch ist die Lebensdauer von TLC-Speicherzellen im Vergleich zu SLC- und 2-Bit-MLC-Zellen deutlich geringer.

Einzelnachweise

  1. Rino Micheloni, Alessia Marelli, Kam Eshghi: Inside Solid State Drives (SSDs). Springer, 2012, ISBN 978-94-007-5146-0, S. 60 ff. (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
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