J. J. Ebers Award

Der J. J. Ebers Award d​es IEEE (IEEE Electron Devices Society) w​ird für Fortschritte b​ei elektronischen Geräten s​eit 1971 jährlich verliehen. Er i​st mit 5000 Dollar dotiert, w​ird beim International Electron Devices Meeting verliehen u​nd ist n​ach Jewell James Ebers benannt.

Preisträger
  • 1971 John L. Moll für herausragende technische Beiträge zu elektronischen Bauteilen
  • 1972 Charles W. Mueller für herausragende technische Beiträge bei elektronischen Bauteilen, die die Entwicklung der modernen Elektronik von Röhren, Transistoren, dem Thyristor, MOS-Bauteilen bis zu Silizium Vidicons umspannen.
  • 1973 Herbert Kroemer
  • 1974 Andrew S. Grove
  • 1975 Jacques I. Pankove
  • 1976 Marion E. Hines
  • 1977 Anthony E. Siegman
  • 1978 Hung C. Lin
  • 1979 James M. Early
  • 1980 James D. Meindl für Pionierbeiträge zur Forschung und Lehre in Mikroelektronik
  • 1981 Chih-Tang Sah
  • 1982 Arthur G. Milnes für Beiträge zu Forschung und Lehre bei Heteroverbindungen und Physik von Bauteilen mit vielen Verunreinigungen (deep impurity)
  • 1983 Adolf Goetzberger für Pionierbeiträge zum grundlegenden Verständnis von Silizium-Verbindungsstellen und Physik von Grenzflächen in Bauteilen
  • 1984 Izuo Hayashi für Demonstration und Verständnis kontinuierlicher Raumtemperatur-Heterojunction-Laser
  • 1985 Walter F. Kosonocky für Pionierbeiträge und Innovationen in der Entwicklung von CCD und Schottky-Barriere-Infrarotsensoren
  • 1986 Pallab K. Chatterjee für herausragende technische Beiträge zu elektronischen Bauteilen
  • 1987 Robert W. Dutton für Pionierbeiträge auf dem Gebiet der Modellierung und Simulation von IC-Prozessen, Bauteilen und Schaltkreisen.
  • 1988 Al F. Tasch Jr. für herausragende Beiträge zur Entwicklung von Silizium-ICs.
  • 1989 Tak H. Ning für herausragende Beiträge zum Verständnis des Effekts heißer Elektronen in MOSFET Bauteilen und die Entwicklung fortgeschrittener bipolarer Technologie
  • 1990 Yoshiyuki Takeishi für Schlüsselinnovationen bei Speichertechnologie, Beiträge zum Verständnis der Physik von MOS-Bauteilen und technischer Führungsrolle in der VLSI Technologie
  • 1991 Simon M. Sze für fundamentale und Pionierbeiträge und als Autor weit genutzter Lehrbücher über Halbleiterelektronik
  • 1992 Louis C. Parrillo und Richard S. Payne für Ingenieursleistungen in Prozessarchitektur und Bauteilentwurf bei Twin-Tub CMOS IC Technology, Beiträge zu bipolarer Technologie und Fortschritte bei deren kommerziellen Anwendungen
  • 1993 Karl Hess für wesentliche Beiträge zu Elektronentransport in Halbleitern und in Quantentopf-Heterostrukturen bei hohen Energien
  • 1994 Alfred U. Macrae für Beiträge und Führungsrolle bei Ionenimplantation und VLSI CMOS
  • 1995 Martin A. Green für seine Führungsrolle bei Solarzellen und Silizium-Photovoltaik
  • 1996 Tetsushi Sakai für Pionierforschung bei bipolaren ICs hoher Geschwindigkeit
  • 1997 Marvin H. White für Pionierbeiträge zur Entwicklung von hochsensitiven Festkörperkameras und Bildgebern, die breite kommerzielle Anwendung fanden, und für seine Beiträge zur Entwicklung von Halbleitergbauteilen
  • 1998 B. Jayant Baliga für fundamentale und nachhaltige Beiträge zu Leistungselektronik mit Halbleitern
  • 1999 James T. Clemens für fundamentale Beiträge zu MOS-VLSI-Elektronik
  • 2000 Bernard S. Meyerson für wesentliche Beiträge zu Wachstum von Si/Ge Heterostrukturen und seine Führungsrolle bei deren Anwendung bei ICs in der Telekommunikation
  • 2001 Hiroshi Iwai für Führungsrolle und Beiträge bei kontinuierlicher Skalierung von CMOS-Bauteilen
  • 2002 Lester F. Eastman für Beiträge und Führungsrolle bei Hochfrequenz-Hetero-Transistoren
  • 2003 James D. Plummer für Beiträge zu neuen Bauteilen in Leistungs-Speichern und Logik und fundamentale Beiträge zur Prozessmodellierung
  • 2004 Jerry G. Fossum für herausragende Beiträge zu SOI-CMOS-Bauteilen und Schaltkreisen durch Modellierung
  • 2005 Bijan Davari für die Entwicklung von deep sumicron CMOS-Technologie und Anwendung in der IC-Industrie
  • 2006 Ghavam Shahidi für Beiträge zu Silizium-auf-Isolator CMOS-Technologie
  • 2007 Stephen J. Pearton für die Entwicklung fortgeschrittener Prozesstechnologien für Verbindungs-Halbleiter und die Klärung der Rolle von Defekten und Verunreinigungen in Verbindungs-Halbleitern
  • 2008 Mark R. Pinto für Beiträge zu weit genutzten Halbleiter-Technologie Simulationswerkzeugen
  • 2009 Baruch Levush für Beiträge zur Entwicklung weit genutzter Simulationswerkzeuge in Vakuumelektronik
  • 2010 Mark E. Law für Beiträge zu breit genutzter Silizium-IC-Prozessmodellierung
  • 2011 Stuart Ross Wenham für Beiträge und erfolgreiche Kommerzialisierung hocheffizienter Solarzellen
  • 2012 Yuan Taur für Beiträge zu mehreren Generationen von CMOS-Prozesstechnologie
  • 2013 Nobukazu Teranishi für die Entwicklung der pinned Photodiode
  • 2014 Joachim N. Burghartz für Beiträge zur integrierten Spiral-Induktoren (Spulen) für ICs in drahtloser Kommunikation und ultradünne Siliziumbauteilen für zukünftige flexible Elektronik.
  • 2015 Jack Yuan-Chen Sun für Führungsrolle und Beiträge zur energieeffizienter CMOS-Technologie.
  • 2016 Jaroslav Hynecek für Pionierarbeiten bei CCD und CMOS Bildsensortechnologie.
  • 2017 Kang L. Wang für Beiträge und Führungsrolle bei gespanntem (strained) Si/Ge und magnetischen Speichern
  • 2018 Michael Shur für Pionierarbeit zum ballistischen Transport in Nano-Halbleiterbauteilen
  • 2019 H.-S. Philip Wong für Pionierarbeiten zur Skalierung elektronischer Bauteilen
  • 2020 Arokia Nathan für Beiträge zu Dünnfilmtransistoren und biegsamen oder faltbaren elektronischen Bauteilen
  • 2021 Bruce Gnade für wesentliche Beiträge zu CMOS und flexiblen elektronischen Bauteilen
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