IEEE Andrew S. Grove Award

Der IEEE Andrew S. Grove Award d​es IEEE (IEEE Electron Devices Society) w​ird für Fortschritte b​ei Halbleitertechnologie u​nd -bauteilen s​eit 2001 jährlich verliehen. Er i​st mit e​iner Bronzemedaille verbunden u​nd nach Andrew S. Grove benannt.

Er ersetzte 2001 d​en IEEE Jack A. Morton Award. Jack A. Morton (1913–1971) w​ar Ingenieur u​nd Erfinder b​ei den Bell Labs, w​o er i​n den 1950er Jahren d​ie Transistorentwicklung leitete (und vorher a​ktiv in d​er Mikrowellenelektronik war). Er w​ar Fellow d​es IEEE. 1971 erschien s​ein Buch Organizing f​or Innovation.

Preisträger Andrew S. Grove Award

Jeweils m​it Laudatio.

  • 2001 Al F. Tasch (University of Texas at Austin) für Beiträge zur MOS-Technologie, Ionenimplantation und Bauteile-Modellierung
  • 2002 Dimitri A. Antoniadis (MIT) für wesentliche Beiträge zu Feldeffekt-Bauteile und Silizium-Prozess-Modellierung
  • 2003 Mark T. Bohr (Intel) für seine Führungsrolle bei Skalierung fortgeschrittener CMOS-Technologie für Mikroprozessoren
  • 2004 Krishna Saraswat (Stanford University) für wesentliche Beiträge zur Verarbeitungstechnologie von Silizium
  • 2005 Tso-Ping Ma (Yale University), für Beiträge zu Verständnis und Entwicklung von CMOS-Gate-Dielektrika.
  • 2006 Chang-Gyu Hwang (Samsung) für Beiträge zur Entwicklung fortgeschrittener Speicher
  • 2007 James D. Plummer (Stanford University) für wesentliche Beiträge zur Modellierung, Simulation und Physik von Silizium-Elektronik
  • 2008 Stefan K. Lai (Intel), für Beiträge zur kommerziellen Entwicklung von Flash Memory
  • 2009 Eric Fossum (Siimpel Corp.), wesentliche Beiträge zu CMOS-Bildsensoren
  • 2010 Bijan Davari (IBM), Beiträge zu Hochleistungs- deep submicron CMOS Technologie.
  • 2011 Eugene A. Fitzgerald, Judy Hoyt (Professorin am MIT) für wesentliche Beiträge zur Demonstration der Behandlung von Spannungen aufgrund Si/Ge Gitter-Nichtübereinstimmung für verbesserte Leitungseigenschaften in MOSFET-Bauteilen.[1]
  • 2012 Jean-Pierre Colinge (University College Cork) für Beiträge zu Silizium-auf-Isolator Technologie und Bauteilen
  • 2013 Shinichi Takagi (Universität Tokio) für Beiträge zum Verständnis des Transports in Inversionsschichten von Hochleistungs-MOSFETs.
  • 2014 Sanjay Banerjee (University of Texas at Austin) für Beiträge zu MOSFETs aus Halbleitern der Hauptgruppe IV und damit verbundene Materialverarbeitung.
  • 2015 Masayoshi Esashi (Tohoku University) für Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) in der Industrieelektronik und für Transportzwecke.
  • 2016 Carlos H. Díaz (Taiwan Semiconductor Manufacturing) für Beiträge und Führungsrolle in CMOS-Logik-Transistor-Technologie.
  • 2017 Sorin Cristoloveanu (CNRS, Grenoble) für Beiträge zu Silizium-auf-Isolator Technologie und Bauteile mit dünnen Körpern.
  • 2018 Gurtej S. Sandhu (Micron Technology Inc.) für Beiträge zur CMOS Technologie, die DRAM und NAND-Memory Chip Skalierung erlaubte.
  • 2019 Digh Hisamoto, Chief Senior Scientist bei Hitachi, für Pionierarbeit in der Herstellung dreidimensionaler Doppelgate MOSFET Bauteile.
  • 2020 Evelyn L. Hu (Harvard University). “Für Pionierbeiträge zur Fabrikationstechnologie in der Mikroelektronik für Geräte im Nanomaßstab und photonische Geräte.”
  • 2021 Hideaki Aochi, Ryota Katsamuta, Masaru Kito (Kioxia Corporation). “Für nachhaltige Pionierbeiträge zu dreidimensionalem Flash-Speicher hoher Dichte.”[2]
  • 2022 Heike Riel. “For contributions to materials for nanoscale electronics and organic light-emitting devices.”[3]

Preisträger Jack A. Morton Award
  • 1976 Robert N. Hall (General Electric) für herausragende Beiträge zur Festkörperphysik und - chemie und Erfindung und Entwicklung von Halbleiterbauteilen
  • 1977 Morgan Sparks (Sandia Labs) für Beiträge zu Festkörperelektronik und technologisches und Forschungs-Management
  • 1978 Juri Matisoo (IBM) für Pionier-Technologie bei Josephson-Computern
  • 1979 Martin P. Lepselter (Bell Labs) für die Erfindung der beam-lead Struktur und Metallurgie in Silizium-ICs.
  • 1980 James F. Gibbons (Stanford) für Pionierbeiträge bei der Verwendung von Ionenimplantation bei Halbleiterbauteilen
  • 1981 Nick Holonyak (University of Illinois at Urbana-Champaign) für Beiträge zu Quantentopf (quantum well) Lasern und Halbleiterlasern im Sichtbaren und LEDs.
  • 1982 Dov Frohman-Bentchkowsky (Intel Jerusalem) für Beiträge zu nicht-volatilen Halbleiterspeichern
  • 1983 Jun’ichi Nishizawa (Universität Tohoku) für Erfindung und Entwicklung von Static Induction Transistors (SIT) und Fortschritte bei optoelektronischen Bauteilen
  • 1984 Hans S. Rupprecht, Jerry M. Woodall (IBM) für Pionierarbeiten in Gallium-Aluminium-Arsenid Heterojunctions und hocheffiziente LEDs und Injektionslaser hergestellt durch Epitaxie in flüssiger Phase.
  • 1985 Robert D. Burnham, William Streifer (beide Xerox), Donald Scifres (Spectra Diode Labs in San José) für Beiträge zu elektrisch gepumpten Distributed Feedback Lasern und phase-locked Laser-Arrays hoher Leistung
  • 1986 Herbert Kroemer als Pionier von Halbleiter-Heterostrukturen
  • 1987 Dennis D. Buss, Richard A. Chapman, Michael A. Kinch (Texas Instruments), für die Demonstration und Entwicklung von Quecksilber-Cadmium-Tellurid monolithisch-integrierter CCD Brennebenen-Arrays.
  • 1988 Frank Stern (Physiker) (IBM) für Beiträge zur Theorie von Injektionslasern und zweidimensionaler Elektronengase
  • 1989 Chih-Tang Sah (Univ. of Illinois at Urbana-Champaign) für Beiträge zum Verständnis von Halbleiter-Defekten und der Physik von MOS-Bauteilen
  • 1990 Gregory E. Stillman (Univ. of Illinois at Urbana-Champaign), Charles M. Wolfe (Washington University), für Züchtung und Charakterisierung von hochreinem Galliumarsenid und ähnlicher Verbindungen
  • 1991 Tak H. Ning, Hwa N. Yu (IBM) für Beiträge zur Entwicklung fortgeschrittener bipolarer und MOS Bauteile
  • 1992 Takuo Sugano (Universität Tokio) für Beiträge zu Metall-Isolator-Halbleiter-Technologie und Bauteile
  • 1993 Toshihisa Tsukada (Hitachi) für Beiträge zur Entwicklung von Buried Heterostructure (BH) Halbleiterlasern
  • 1994 Robert E. Kerwin (ATT), Donald L. Klein (IBM), John C. Sarace (Rockwell International)
  • 1995 Yoshio Nishi (Hewlett Packard)
  • 1996 Robert W. Dutton (Stanford)
  • 1997 Chenming Hu (Universität Berkeley)
  • 1998 Isamu Akasaki, Meijo-Universität, Shuji Nakamura, Nichia Chem. Industries. Für Beiträge zu Gruppe III-Nitrid-Materialien und Bauteile
  • 1999 Charles H. Henry, Bell Labs, für fundamentale Beiträge zum Verständnis von optischen Eigenschaften von Quantentöpfen und Halbleiterlasern.
  • 2000: Wolfgang Fichtner (ETH Zürich) für herausragende Beiträge zur Modellierung von Silizium-Elektronik

Einzelnachweise
  1. For seminal contributions to the demonstration of Si/Ge lattice mismatch strain engineering for enhanced carrier transport properties in MOSFET devices
  2. 2021 IEEE Technical Field Award Recipients and Citations. (PDF; 222 kB) In: ieee.org. 30. Juni 2020, abgerufen am 5. Juli 2020 (englisch).
  3. https://corporate-awards.ieee.org/recipients/current-recipients/#technical-field-awards
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