Hellmut Fritzsche

Hellmut Fritzsche (* 20. Februar 1927 i​n Berlin; † 17. Juni 2018[1]) w​ar ein deutsch-US-amerikanischer Festkörperphysiker.

Fritzsche g​ing nach d​em Diplom a​n der Universität Göttingen 1952 i​n die USA. 1954 w​urde er a​n der Purdue University promoviert, w​o er i​m selben Jahr Instructor u​nd 1955 Assistant Professor wurde. 1957 g​ing er a​ls Assistant Professor a​n die University o​f Chicago, w​o er 1963 Professor w​urde und d​as bis z​u seiner Emeritierung 2004 blieb. Zeitweise w​ar er Vorstand d​er Physik-Fakultät.

Fritzsche i​st bekannt für Arbeiten über d​en Metall-Isolator-Übergang i​n dotierten Halbleitern u​nd über amorphe (nicht-kristalline) Materialien, z​um Beispiel amorphem Silizium u​nd insbesondere z​ur Rolle v​on eingebautem Wasserstoff[2] i​n der Verbesserung v​on dessen elektronischen Eigenschaften.

Ab 1967 w​ar er Vizepräsident u​nd Mitglied d​es Leitungsrats v​on Energy Conversion Devices Incorporated, d​er Entwicklungsfirma (zum Beispiel Solarzellen, Batterien) v​on Stanford Ovshinsky, m​it dem e​r eng über d​ie Anwendung amorpher Materialien zusammenarbeitete.

1989 erhielt e​r den Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize[3]. 1988 w​urde er Ehrendoktor d​er Purdue University. 2004 erhielt e​r den Stanford R. Ovshinsky Award f​or Excellence i​n Non-Crystalline Chalcogenides[4]

Schriften
  • Herausgeber: Amorphous Silicium and related materials, Teil A, B, World Scientific 1989
  • Herausgeber: Transport, correlation and structural defects, World Scientific 1990
  • Herausgeber mit David Adler: Localization and metal-insulator transitions, Plenum Press 1985 (Bd. 3 einer Festschrift für Nevill Francis Mott)
  • Electronic phenomena in amorphous semiconductors, Annual Review of Material Science, Bd. 2, 1972, S. 697–744
  • Herausgeber mit Brian Schwartz: Stanford R. Ovshinsky - the science and technology of an american genius, World Scientific 2008

Einzelnachweise
  1. Hellmut and Sybille C. Fritzsche: Obituary. In: Arizona Daily Star. Legacy.com, 24. Juni 2018, abgerufen am 25. Juni 2018 (englisch).
  2. Fritzsche, Tanielian, Tsai, Gaczi: Hydrogen content and density of plasma deposited amorphous silicium. In: J. Applied Physics. Band 50, 1979, S. 3366.
  3. 1989 Oliver E. Buckley Condensed Matter Physics Prize Recipient: Hellmut Fritzsche. APS, abgerufen am 24. Februar 2018: „For his seminal transport studies of impurity band conduction near the metal-insulator transition and his leadership in our understanding of amorphous semi-conductors“
  4. Mihai Popescu: Stanford R. Ovshinsky Prize for Excellence in Amorphous Chalcogenides Past & Present. In: Phys. Status Solidi B. Band 249, Nr. 10, 2012, S. 1835–1836, doi:10.1002/pssb.201200348 (englisch, wiley.com [PDF]).
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