Aluminiumgalliumindiumphosphid

Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlInGaP), auch als Aluminiumindiumgalliumphosphid bezeichnet, ist ein III-V-Verbindungshalbleiter bestehend aus Aluminium und der Legierung Galliumindiumphosphid. Der Werkstoff ist ein direkter Halbleiter und dient zur Herstellung von hellen Leuchtdioden und Laserdioden im Farbbereich Orange-Rot, Gelb bis Grün-Gelb.[1] Die Farbe der Leuchtdiode wird über die Veränderung des Bandabstandes durch das Mischungsverhältnis der beiden Ausgangssubstanzen gewählt.

Kristalline Schichten a​us AlInGaP werden d​urch Epitaxie a​uf einem Substrat v​on Galliumarsenid (GaAs) o​der Galliumphosphid (GaP) gezüchtet.

Literatur
  • Gerald B. Stringfellow, M. George Craford: High Brightness Light Emitting Diodes. 1. Auflage. Band 48 (Semiconductors & Semimetals). Academic Press, 1997, ISBN 978-0-12-752156-5.

Einzelnachweise
  1. Patentanmeldung DE10020612: LED auf Basis eines AIGalnP-Systems und epitaxialer Wafer für die LED. Angemeldet am 27. April 2000, Anmelder: Hitachi Cable, Erfinder: Naoki Kaneda, Taichiro Konno, Masahiro Noguchi, Kenji Shibata, Masatomo Shibata.
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