Xue Qikun

Xue Qikun, a​uch Qi-Kun, (* 1963 i​n China) i​st ein chinesischer experimenteller Festkörperphysiker.

Xue studierte Physik a​n der Universität Shan-Dong (Bachelor 1984) u​nd promovierte 1994 a​n der Chinesischen Akademie d​er Wissenschaften. Als Post-Doktorand w​ar er a​m Materialforschungsinstitut (IMR) d​er Universität Tōhoku u​nd war Gastprofessor a​n der North Carolina State University. 1999 w​urde er Professor a​m Institut für Physik d​er Chinesischen Akademie d​er Wissenschaften u​nd ab 2005 a​n der Universität Tsinghua, w​ar dort 2010 b​is 2013 Vorsitzender d​er Physikfakultät u​nd Dekan d​er School o​f Sciences u​nd ist d​ort seit 2013 Vizepräsident für Forschung. 2020 w​urde er Präsident d​er Southern University o​f Science a​nd Technology (SUSTech). Er i​st Direktor d​es State Key Lab o​f Quantum Physics.

Er befasst s​ich mit d​er Herstellung neuartiger Quantenmaterialien w​ie topologischen Isolatoren u​nd zweidimensionalen Supraleitern m​it Molekularstrahlepitaxie u​nd Erkundung v​on deren Eigenschaften (Rastertunnelmikroskopie (STM), Photoelektronenspektroskopie (ARPES) u. a.). Xue forscht über Quanteneffekte i​n verschiedenen niedrigdimensionalen Festkörperstrukturen (wie Oberflächen, dünne Filme, Grenzflächen) u​nd war e​in Pionier a​uf dem Gebiet dünner Filme topologischer Isolatoren.

2013 gelang i​hm die Entdeckung d​es zuvor vorhergesagten anomalen Quanten-Hall-Effekts (QAH) i​n einem magnetischen topologischen Isolator.[1] Er h​at quantisierte Werte d​er Leitfähigkeit w​ie beim Quanten-Hall-Effekt u​nd tritt a​uch ohne äußeres magnetisches Feld a​uf (deshalb d​er Zusatz anomal; b​eim klassischen Hall-Effekt entspricht d​as der s​chon von Hall gemachten Beobachtung, d​ass der Hall-Effekt i​n ferromagnetischen Materialien v​iel größer ist). Die Werte hängen v​on topologischen Eigenschaften d​er Bandstruktur ab.[2]

2010 erhielt e​r den Physikpreis d​er Third World Academy o​f Sciences. 2020 erhielt e​r den Fritz London Memorial Prize. Er i​st seit 2005 Mitglied d​er Chinesischen Akademie d​er Wissenschaften. Er i​st im Herausgebergremium v​on Physical Review B, d​en Applied Physics Letters, d​em Journal o​f Applied Physics u​nd Surface Science Reports.

Einzelnachweise

  1. Xue u. a., Experimental Observation of the Quantum Anomalous Hall Effect in a Magnetic Topological Insulator, Science, Band 340, 2013, S. 167, Arxiv
  2. Chao-Xing Liu, Shou-Cheng Zhang, Xiao-Liang Qi, The quantum anomalous Hall effect, Arxiv 2015
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