Takashi Mimura

Takashi Mimura (* 14. Dezember 1944 i​n Osaka) i​st ein japanischer Elektronikingenieur. Er i​st bekannt a​ls Erfinder d​es High-electron-mobility transistor (HEMT).

Ausbildung und Karriere

Mimura studierte Elektrotechnik a​n der Universität Osaka m​it dem Master-Abschluss a​ls Ingenieur 1970 u​nd ging d​ann zu Fujitsu. Ab 1975 w​ar er a​n den Fujitsu Laboratories u​nd 1982 w​urde er a​n der Universität Osaka promoviert. Ab 1998 w​ar er Fellow d​er Fujitsu Laboratories, w​as er b​is 2017 blieb.

Von 2006 b​is 2016 w​ar er Gastwissenschaftler i​m Millimeter-Wave Device Project d​er Advanced Communication Group d​es National Institute o​f Information a​nd Communications Technology (NICT). Ab 2016 forschte e​r am Advanced ICT Research Institute v​on NICT.

Werk

Den HEMT entwickelte er bei Fujitsu 1979/80 als neue Transistor-Halbleiterarchitektur mit hoher Mobilität der Ladungsträger, die somit gute Hochfrequenzeigenschaften besitzen. Die schnellen Schalteigenschaften beruhen darauf, dass sie die Leitergeometrie auf ein zweidimensionales Elektronengas einschränken. Sie können auch im Mikrowellenbereich operieren. Ein weiterer großer Vorteil ist ihr geringes Rauschen. Sie bestehen im Gegensatz zur verbreiteten CMOS-Technologie aus binären Halbleitern wie Galliumarsenid und Indiumphosphid und werde vornehmlich für einzelne Transistoren eingesetzt, nicht für integrierte Schaltkreise. Die breite Anwendung bei Satellitenempfängern wurde durch eine Senkung der Produktionskosten (Stand 2018) um einen Faktor im Vergleich zu den Kosten Anfang der 1980er Jahre erreicht, die selbst für Mimura überraschend war.[1] Weitere Anwendungen sind zum Beispiel GPS-Empfänger, Mobilfunkgeräte und ihre Basisstationen, Radioteleskopen und Kollisionswarn-Radar in Kraftfahrzeugen. Dank ihres geringen Rauschens war ihr Einsatz wesentlich zum Beispiel beim Empfang der schwachen Voyager 2 Fotos von Neptun 1989 aus 1,3 Milliarden km Entfernung.

Er befasst s​ich in jüngster Zeit a​uch mit Halbleitermaterialien für Quantenrechner.

Mitgliedschaften und Ehrungen

1990 erhielt e​r mit Satoshi Hiyamizu d​en IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award, 1992 d​en japanischen Imperial Invention Price, 1998 d​en Welker Award u​nd 2017 d​en Kyoto-Preis. Außerdem erhielt e​r 1982 d​en Achievement Award d​es Institute o​f Electronics, Information a​nd Communication Engineers (IEICE) u​nd 2004 d​er Japan Society f​or Applied Physics (JSAP) u​nd 1998 d​ie japanische Medaille m​it Purpurband. Er i​st Ehren-Fellow d​er Fujitsu Laboratories. Er i​st Fellow d​es IEEE.

Schriften (Auswahl)
  • T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu: A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n-AlxGa1-xAs Heterojunctions, Japanese Journal of Applied Physics, Band 19, 1980, L 225-L227
  • T. Mimura, Kazukiyo Joshin, Satoshi Hiyamizu, Kohki Hikosaka, Masayuki Abe: High Electron Mobility Transistor Logic, Japanese Journal of Applied Physics, Band 20, 1981, L 598
  • T. Mimura: Development of High Electron Mobility Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Band 44, 2005, S. 8263

Einzelnachweise
  1. Samuel K. Moore: 5 Questions for HEMT Inventor Takashi Mimura, IEEE Spectrum, 23. März 2018
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