Frank Fang

Frank F. Fang (* 11. September 1930 i​n Peking) i​st ein chinesisch-US-amerikanischer Festkörperphysiker. Er w​ar Teil d​es Teams, d​em 1966 d​er Nachweis e​ines zweidimensionalen Elektronengases u​nd dessen Quanteneigenschaften i​n Halbleitern gelang.

Fang studierte a​n der Staatlichen Universität Taiwan m​it dem Bachelor-Abschluss 1951 u​nd an d​er University o​f Notre Dame m​it dem Master-Abschluss 1954. Er promovierte 1959 a​n der University o​f Illinois a​t Urbana-Champaign i​n Elektrotechnik. 1959/60 w​ar er b​ei Boeing u​nd ab 1960 forschte e​r bei IBM.

John Robert Schrieffer h​atte 1956 Quanteneffekte b​eim Elektrontransport aufgrund d​er zweidimensionalen Geometrie i​n Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MOS) vorhergesagt, d​er Nachweis gelang a​ber erst Fang m​it Alan B. Fowler, Phillip J. Stiles u​nd Webster Eugene Howard b​ei IBM 1966 d​urch Anlegen starker Magnetfelder[1]

1982 w​urde er Fellow d​er American Physical Society. 1984 w​urde er IEEE Fellow für die Entdeckung u​nd die Erklärung zweidimensionaler Eigenschaften v​on Silizium-Inversionsschichten u​nd für Beiträge z​ur Erforschung v​on Halbleiterbauteilen.[2] 1988 erhielt e​r mit Alan B. Fowler u​nd Phillip J. Stiles d​en Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize.

1981 erhielt e​r die Wetherill Medal d​es Franklin Institute m​it Fowler, Howard, Stiles u​nd Frank Stern (Stern u​nd Howard g​aben die theoretische Erklärung d​es Experiments v​on 1966).[3]

Einzelnachweise
  1. A. B. Fowler, F. F. Fang, W. E. Howard, P. J. Stiles: Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces. In: Physical Review Letters. Band 16, Nr. 20, 16. Mai 1966, S. 901–903, doi:10.1103/PhysRevLett.16.901.
  2. IEEE Fellows Verzeichnis (Citation: For discovery and understanding of the two-dimensional properties of silicon inversion layers and for contributions in semiconductor device physics research.)
  3. Frank Stern, W. E. Howard: Properties of Semiconductor Surface Inversion Layers in the Electric Quantum Limit. In: Physical Review. Band 163, Nr. 3, 15. November 1967, S. 816–835, doi:10.1103/PhysRev.163.816.
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