Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor

Der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (engl., k​urz EOSFET, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) i​st ein spezieller Feldeffekttransistor m​it isoliertem Gate (IGFET). Im Gegensatz z​u konventionellen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) i​st die Gate-Elektrode n​icht durch e​ine Metallschicht, sondern d​urch eine Elektrolyt-Lösung realisiert.[1]

EOSFETs werden beispielsweise z​ur Erkennung neuronaler Aktivitäten eingesetzt, beispielsweise i​n Brain-Computer-Interfaces.

Einzelnachweise

  1. Ping Wang, Qingjun Liu: Cell-Based Biosensors: Principles and Applications. Artech House, 2009, ISBN 978-1-59693-439-9, S. 111.
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